GIGABYTEのゲーミングブランドAORUSから、AMDの次世代CPUである第3世代Ryzen&X570プラットフォームよりサポートが開始されるPCIE4.0帯域に対応したNVMe M.2 SSD「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」が7月5日発売
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GIGABYTEのゲーミングブランドAORUSから、AMDの次世代CPUである第3世代Ryzen&X570プラットフォームよりサポートが開始されるPCIE4.0帯域に対応したNVMe M.2 SSD「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」が7月5日より発売されました。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」シリーズは、メモリチップに東芝製TLC型96層3D NAND「BiCS4」、メモリコントローラーにPCIE4.0に対応するPHISON PS5016-E16が採用された、NVMe(PCI-E4.04)接続でM2280フォームファクタのM.2 SSDです。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」シリーズにはSSD容量として1TB(型番:GP-ASM2NE6100TTTD)、2TB(型番:GP-ASM2NE6200TTTD)の2モデルがラインナップされています。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」はPCIE4.0に対応することで、既存のPCIE3.0x4接続のNVMe M.2 SSDよりも高発熱になることが予想されるので、高熱伝導効率サーマルパッドを介して銅製ベースプレートと銅製ヒートシンクを標準装備し、放熱が強化されています。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出5000MB/s、シーケンシャル書込4400MB/s、ランダム読出750,000 IOPS、ランダム書込700,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」シリーズのMTBFは177万時間、書込耐性は1TBが1800TBW、2TBが3600TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
製品公式ページ:https://www.gigabyte.com/jp/Solid-State-Drive/AORUS-NVMe-Gen4-SSD-2TB#kf
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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)
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GIGABYTEのゲーミングブランドAORUSから、AMDの次世代CPUである第3世代Ryzen&X570プラットフォームよりサポートが開始されるPCIE4.0帯域に対応したNVMe M.2 SSD「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」が7月5日より発売されました。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」シリーズは、メモリチップに東芝製TLC型96層3D NAND「BiCS4」、メモリコントローラーにPCIE4.0に対応するPHISON PS5016-E16が採用された、NVMe(PCI-E4.04)接続でM2280フォームファクタのM.2 SSDです。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」シリーズにはSSD容量として1TB(型番:GP-ASM2NE6100TTTD)、2TB(型番:GP-ASM2NE6200TTTD)の2モデルがラインナップされています。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」はPCIE4.0に対応することで、既存のPCIE3.0x4接続のNVMe M.2 SSDよりも高発熱になることが予想されるので、高熱伝導効率サーマルパッドを介して銅製ベースプレートと銅製ヒートシンクを標準装備し、放熱が強化されています。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出5000MB/s、シーケンシャル書込4400MB/s、ランダム読出750,000 IOPS、ランダム書込700,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD」シリーズのMTBFは177万時間、書込耐性は1TBが1800TBW、2TBが3600TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
製品公式ページ:https://www.gigabyte.com/jp/Solid-State-Drive/AORUS-NVMe-Gen4-SSD-2TB#kf
GIGABYTE AORUS NVMe Gen4 SSD スペック一覧 |
||
容量 | 1TB GP-ASM2NE6100TTTD |
2TB GP-ASM2NE6200TTTD |
インターフェース |
NVMe(PCI-E4.0x4) | |
メモリー | 東芝製 TLC型96層3D NAND BiCS4 |
|
メモリコントローラー | PHISON PS5016-E16 | |
キャッシュ | DDR4 1GB |
DDR4 2GB |
連続読出 | 5000MB/s | |
連続書込 | 4400MB/s | |
4Kランダム読出 | 750,000 IOPS | |
4Kランダム書込 | 700,000 IOPS | |
消費電力(アベレージ) | 6.5W(Read)、6.6W(Write)、21.1mW(idle) | |
動作温度範囲 | 0°C~70°C | |
MTBF | 177万時間 | |
耐久性評価 | 1800TBW | 3600TBW |
保証期間 | メーカー5年 |
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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)
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