64層QLC型3D NAND採用NVMe M.2 SSD「Intel SSD 660p」が発売 : 自作とゲームと趣味の日々

IM Flash Technologies製64層QLC型3D NANDメモリチップの採用によって現行最新のTLC型NAND採用SSDから容量単価の半減を実現した新型NVMe M.2 SSD「Intel SSD 660p」シリーズが発売。SATA SSDなみの容量単価で3倍高速！

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IM Flash Technologies製64層QLC型3D NANDメモリチップの採用によって現行最新のTLC型NAND採用SSDから容量単価の半減を実現した新型NVMe M.2 SSD「Intel SSD 660p」シリーズが発売されました。「Intel SSD 660p」シリーズは容量として512GB（型番：SSDPEKNW512G8XT）、1TB（型番：SSDPEKNW010T8X1）、2TB（型番：SSDPEKNW020T8X1）の3モデルがラインナップされています。

Intel SSD 660p 512GB SSDPEKNW512G8XT
Intel SSD 660p 1TB SSDPEKNW010T8X1
Intel SSD 660p 2TB SSDPEKNW020T8X1

Intel

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「Intel SSD 660p」シリーズはメモリチップにIntelとMicronの合弁会社であるIM Flash Technologies製の64層QLC型3D NAND、メモリコントローラーにSIlicon Motion製SMI 2263 controllerが採用された、M2 2280フォームファクタでNVMe（PCIE3.0x4）接続のM.2 SSDです。容量は512GB/1TB/2TBの3モデルがラインナップされ、全体容量のうち10％はSLCキャッシュ領域となっているようです。
「Intel SSD 660p」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出1800MB/s、シーケンシャル書込1800MB/s、ランダム読出220,000 IOPS、ランダム書込220,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「Intel SSD 660p」シリーズのMTBFは160万時間、書込耐性は512GBが100TBW、1TBが200TBW、2TBが200TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。

「Intel SSD 660p」は1つのメモリセルに4bit記録を行うQLC型NANDを採用した製品となっています。Intel製64層QLC型3D NAND採用「Intel SSD 660p」とIntel製64層TLC型3D NAND採用「Intel SSD 760p」の1TBモデルについて各スペックを比較してみました。
マルチビットセル化が進行するほど、書き換え可能回数や耐久性評価が下がりますが、1セル当たりのデータ格納が3bit(8値)から4bit(16値)で倍増しているので容量単価が半減しているところは魅力です。ただし660pは連続書き込みを除いてアクセススピードが760pより低くなっており、また逆に消費電力が上がっているところは少し気になります。

Intel製QLC/TLC型SSD比較（1TB）
製品	Intel 660p	Intel 760p
メモリ	QLCタイプ64層3D NAND	TLCタイプ64層3D NAND
メモリ	SIlicon Motion製SMI 2263	SIlicon Motion製SMI 2262
連続読出	1800MB/s	3230MB/s
連続書込	1800MB/s	1625MB/s
4Kランダム読出	220,000 IOPS	340,000 IOPS
4Kランダム書込	220,000 IOPS	275,000 IOPS
消費電力	40mW（アイドル） / 100mW（アクティブ）	25mW（アイドル） / 50mW（アクティブ）
MTBF	160万時間
耐久性評価	200TBW	576 TBW
価格	199ドル	399ドル

製品公式ページ：https://www.intel.com/content/www/us/en/products/memory-storage/solid-state-drives/consumer-ssds/660p-series.html

Intel SSD 660p スペック一覧
容量	512GB 型番：SSDPEKNW512G8XT	1TB 型番：SSDPEKNW010T8X1	2TB 型番：SSDPEKNW020T8X1
メモリー	IM(Intel&Micron) Flash Technologies製 64層QLC型3D NAND
メモリコントローラー	SIlicon Motion製SMI 2263 controller
連続読出	1500MB/s	1800MB/s
連続書込	1000MB/s	1800MB/s
4Kランダム読出	90,000 IOPS	150,000 IOPS	220,000 IOPS
4Kランダム書込	220,000 IOPS
消費電力	40mW（アイドル） / 100mW（アクティブ）
動作温度範囲	0°C～70°C
MTBF	160万時間
耐久性評価	100TBW	200TBW	200 TBW
保証期間	メーカー5年