Samsungから同社製TLCタイプ100+層 第6世代V-NANDをメモリチップに採用する2.5インチSATA SSDの新製品として「Samsung SSD 870 EVO」が1月22日発売。最大4TBモデルがラインナップスポンサードリンク
Samsungから同社製TLCタイプ100+層 第6世代V-NANDをメモリチップに採用するメインストリーム向け2.5インチSATA SSDの新製品として「Samsung SSD 870 EVO」が1月22日より発売されます。前世代860 EVOと同様に最大で4TBモデルがラインナップされています。
「Samsung SSD 870 EVO」ではメモリチップにSamsung製3bit MLC 100+層 第6世代V-NAND（TLC型100+層3D NAND）を採用、キャッシュメモリは最大4GBのLPDDR4を搭載、メモリコントローラーには最新世代V-NANDに最適化された新コントローラーのSamsung MKXを使用しています。
「Samsung SSD 870 EVO」の容量は250GB（型番：MZ-77E250B）、500GB（型番：MZ-77E500B）、1TB（型番：MZ-77E1T0B）、2TB（型番：MZ-77E2T0B）、4TB（型番：MZ-77E4T0B）の5モデルがラインナップされています。
「Samsung SSD 870 EVO」のアクセススピードは容量によって多少違いがありますが最大で、シーケンシャル読出560MB/s、シーケンシャル書込530MB/s、4KQD1ランダム読出13,000 IOPS、4KQD1ランダム書込36,000 IOPS、4KQD32ランダム読出98,000 IOPS、4KQD32ランダム書込88,000 IOPSのSATA規格としては理想的な高速アクセスを実現しています。
「Samsung SSD 870 EVO」のMTBF（平均故障間隔）は150万時間、書込耐性は500GBが150TBW、500GBが300TBW、1TBが600TBW、2TBが1200TBW、4TBが2400TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
「Samsung SSD 870 EVO」はSamsung製V-NAND 3bit MLC、一般に言うところのTLCタイプ3D NANDが採用されています。現在主流なTLC NANDはMLC NANDに比べて書き込み性能で劣るため、一般的にTLC型SSDでは搭載するNANDフラッシュメモリの一部をSLCキャッシュとして使用することにより書き込み性能を底上げする機能が採用されています。
「Samsung SSD 870 EVO」ではこのSLCキャッシュ機能を強化し、必要に応じてSLCの領域を増減する「Intelligent TurboWrite」機能が採用されています。
Intelligent TurboWriteにおいて疑似SLC領域は標準で数GBの容量が確保されますが、それを上回る大容量の書き込みアクセスが発生した場合、各容量モデルによって定められた容量を追加でバッファ領域として利用できます。
「Samsung SSD 870 EVO」の各容量モデルのSLC領域、可変領域、書込速度は次のテーブルのようになっています。
| 「Samsung SSD 870 QVO」 Intelligent TurboWrite の仕様 | ||||||
| 容量 | 250GB |
500GB |
1TB | 2TB | 4TB | |
| キャッシュ サイズ |
標準 | 3GB | 4GB | 6GB | ||
| 可変領域 | 9GB | 18GB | 36GB | 72GB | ||
| 最大 | 12GB | 22GB | 42GB | 78GB | ||
| 連続書込 | キャッシュ内 | 530MB/s | ||||
| キャッシュ外 | 300MB/s | 530MB/s | ||||
代理店公式ページ：https://www.itgm.co.jp/product/ssd-870-evo.php
製品公式ページ：https://www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/ssd/consumer/870evo/
データシート：
| Samsung SSD 870 EVO スペック一覧 |
||||
| 容量 | 500GB MZ-77E500B |
1TB MZ-77E1T0B |
2TB MZ-77E2T0B |
4TB MZ-77E4T0B |
| メモリー | Samsung製 3bit MLC（TLC）型 100+層 第6世代V-NAND |
|||
| コントローラ | Samsung MKX コントローラ | |||
| キャッシュ | 512MB LPDDR4 | 1GB LPDDR4 | 2GB LPDDR4 | 4GB LPDDR4 |
| 連続読出 | 560MB/s | |||
| 連続書込 | 530MB/s | |||
| 4Kランダム読出 QD1 / QD32 |
12,000IOPS / 98,000 IOPS |
|||
| 4Kランダム書込 QD1 / QD32 |
36,000 IOPS / 88,000 IOPS |
|||
| 動作温度範囲 | 0°C～70°C | |||
| MTBF | 150万時間 | |||
| 耐久性評価 | 300TBW | 600TBW | 1200BW | 2400TBW |
| 保証期間 | メーカー5年 |
|||
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（注：記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります）
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