Samsung SSD 980 PRO with HeatsinkPlayStation 5の拡張スロット互換サイズなヒートシンクを標準搭載した980 PROのバリエーションモデル「Samsung SSD 980 PRO with Heatsink」が11月12日発売



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SamsungからPlayStation 5の拡張スロット互換サイズなヒートシンクを標準搭載した980 PROのバリエーションモデル「Samsung SSD 980 PRO with Heatsink」が11月12日より発売されます。


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Samsung
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「Samsung SSD 980 PRO with Heatsink」は、メモリチップにSamsung製3bit MLC型 第6世代V-NAND、メモリコントローラーにPCIE4.0対応のSamsung製Elpis Controllerが採用された、NVMe(PCIE4.0)接続でM.2 2280フォームファクタのM.2 SSDです。

「Samsung SSD 980 PRO with Heatsink」のアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出7000MB/s、シーケンシャル書込5100MB/s、ランダム読出1,000,000 IOPS、ランダム書込1,000,000 IOPSの超高速アクセスを実現しています。
Samsung SSD 980 PRO_speed

「Samsung SSD 980 PRO with Heatsink」にはメモリチップとしてSamsung製V-NAND 3bit MLC、一般に言うところのTLC型3D NANDが採用されています。TLC型NANDは従来のPROシリーズに採用されていたMLC型NANDに比べて書き込み性能で劣るため、TLC型SSDでは一般に搭載するNANDフラッシュメモリーの一部をSLCキャッシュとして使用して書き込み性能を底上げする機能が採用されていますが、「Samsung SSD 980 PRO」ではこのキャッシュ機能を強化し、必要に応じてSLCの領域を増減する「Intelligent TurboWrite」機能が採用されています。
Samsung SSD 980 PRO_Intelligent TurboWrite
「Intelligent TurboWrite」においてはキャッシュとなる疑似SLC領域は標準で数GBの容量が確保されますが、それを上回る大容量の書き込みアクセスが発生した場合にモデルによって定められた容量を追加でバッファ領域として利用できます。Samsung SSD 980 PROにおいて各モデルのSLC領域、可変領域、書込速度は次のテーブルのようになっています。
「Samsung SSD 980 PRO」 Intelligent TurboWrite の仕様
容量 250GB 500GB 1TB 2TB
キャッシュ
サイズ
標準 4GB 6GB
可変領域 45GB 90GB 108GB 216GB
最大 49GB 94GB 114GB 222GB
連続書込 キャッシュ内 2700MB/s 5000MB/s 5100MB/s
キャッシュ外 500MB/s 1000MB/s 2000MB/s 2000MB/s


「Samsung SSD 980 PRO with Heatsink」のMTBFは150万時間、書込耐性は1TBが600TBW、2TBが1200TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。



代理店公式ページ:https://www.itgm.co.jp/product/ssd-980-pro-hs.php
製品公式ページ(SSDのみ):https://www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/ssd/consumer/980pro/

Samsung SSD 980 PRO with Heatsink_top
Samsung SSD 980 PRO with Heatsink
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Samsung SSD 980 PRO with Heatsink (5)



Samsung SSD 980 PRO with Heatsink スペック一覧
容量 1TB
型番:MZ-V8P1T0C/EC,
MZ-V8P1T0B/IT
2TB
型番:MZ-V8P2T0C/EC,
MZ-V8P2T0B/IT
フォームファクタ
M.2 2280、 80 x 24 x 8.6 mm (ヒートシンク含む)
インターフェース
NVMe(PCIE4.0x4)
メモリー Samsung製 第6世代V-NAND 3-bit MLC (TLC型100+層3D NAND)
メモリコントローラー Samsung製 Elpis Controller
キャッシュ 1GB LPDDR4
2GB LPDDR4
連続読出 7000MB/s
連続書込 5000MB/s 5100MB/s
4Kランダム読出
QD1T1 / QD32T16
22,000 IOPS /
1,000,000 IOPS
4Kランダム書込
QD1T1 / QD32T16
60,000 IOPS /
1,000,000 IOPS
消費電力(avg) 6.2W (Read)
5.7W (Write)
6.1W (Read)
5.6W (Write)
動作温度範囲 0°C~70°C
MTBF 150万時間
書込耐性 600TBW 1200TBW
保証期間 メーカー5年






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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)



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