「Samsung SSD 990 EVO」が発売 : 自作とゲームと趣味の日々

PCIE4.0x4接続で連続読み出し5GB/sに達するエントリー向けNVMe M.2 SSD「Samsung SSD 990 EVO」が1月31日発売

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SamsungからPCIE4.0x4接続で連続読み出し5GB/sに達するエントリー向けNVMe M.2 SSD「Samsung SSD 990 EVO」が1月31日より発売されます。

Samsung SSD 990 EVO 1TB
Samsung SSD 990 EVO 2TB

Samsung

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「Samsung SSD 990 EVO」は、メモリチップにSamsung製TLC型3D NAND、メモリコントローラーにPCIE5.0x2接続にも対応するSamsung独自コントローラー（S4LY022 Piccolo）が採用された、NVMe（PCIE4.0x4）接続でM.2 2280フォームファクタのM.2 SSDです。
「Samsung SSD 990 EVO」にはSSD容量として1TB、2TBの2モデルがラインナップされています。

「Samsung SSD 990 EVO」のアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出5000MB/s、シーケンシャル書込4200MB/s、ランダム読出700,000IOPS、ランダム書込800,000IOPSの高速アクセスを実現しています。
またPCIE3.0x4接続の前モデル970 EVOと比較して最大で70％も電力効率が向上しており、省電力性能の高さもアピールされています。

「Samsung SSD 990 EVO」のMTBF（平均故障間隔）は-万時間、書込耐性（保証TBW：Total Byte Written）は1TBが600TB、2TBが1200TBとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。

Samsung SSD 990 EVO スペック一覧
容量	1TB MZ-V9E1T0B	2TB MZ-V9E2T0B
インターフェース	M.2, NVMe (PCIE4.0x4)
コントローラー	Samsung in-house Controller（S4LY022 Piccolo）
メモリー	Samsung製 TLC型 V-NAND (7th Gen 172L?)
DRAMキャッシュ	非搭載、HMB対応
連続読出	5000MB/s
連続書込	4200MB/s
4Kランダム読出 QD1 / QD32	20,000 IOPS / 680,000 IOPS	20,000 IOPS / 700,000 IOPS
ラ4Kランダム書込 QD1 / QD32	90,000 IOPS / 800,000 IOPS	90,000 IOPS / 800,000 IOPS
消費電力 Avg (Read/Write)	4.9W / 4.5W	5.5W / 4.7W
動作温度範囲	0°C～70°C
MTBF	150万時間
書込耐性（保証TBW：Total Byte Written）	600 TB	1200 TB
保証期間	メーカー5年