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XMPプロファイルによるメモリ周波数3200MHzへのOCに対応でデュアルチャンネル対応2枚組DDR4 SODIMMとしては最速メモリ「Kingston HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」のレビュー用サンプルをメーカーよりご提供いただけたのでレビューしていきます。HX432S20IB2K2/16は8GBのメモリモジュールが2枚組のメモリキットですが、2セット4枚を使用してIntel Skylake-X CPUに対応したMini-ITXマザーボード「ASRock X299E-ITX/AC」や18年最新Intel第8世代NUC”Hades Canyon”上位モデル「NUC8i7HVK」を使用してメモリOCを実践してみます。
製品公式ページ：https://www.hyperxgaming.com/jp/memory/impact-ddr4
データシート：https://www.kingston.com/dataSheets/HX432S20IB2K2_16.pdf
HyperX Impact DDR4 SODIMM レビュー目次
１．HyperX Impact DDR4 SODIMMの外観
２．検証機材、メモリOCの基本と手順
３．HyperX Impact DDR4 SODIMMのオーバークロック
４．HyperX Impact DDR4 SODIMMのレビューまとめ
HyperX Impact DDR4 SODIMMの外観
まず最初に「Kingston HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」の外観をチェックしていきます。
紙製の外パッケージを開けると中には透明なプラスチック製スペーサーに計2枚のメモリモジュールが収められていました。
黒色のPCB基板にメモリチップが実装されています。「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」はXMPによる3200MHzのOCに対応するメモリですが裏表の両面にはシールが貼られているだけで放熱ヒートシンクは装着されていません。
SODIMM DDR4メモリはデスクトップ向けの標準DIMM DDR4メモリの半分くらいのサイズになっています。
今回は「ASRock X299E-ITX/AC」環境で検証を行うためメーカーより「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」を2セットご提供いただいたので、メモリ枚数は計4枚となります。
「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」を「ASRock X299E-ITX/AC」へ組み込むとこんな感じになります。
検証機材、メモリOCの基本と手順
「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」の動作検証やメモリOCを行う前に、検証機材の紹介とメモリOCの基本・手順について紹介しますHyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16のメモリOCを行う環境としては、Skylake-X対応Mini-ITXサイズX299マザーボードの「ASRock X299E-ITX/AC」を始めとして以下のテーブルに表記した検証機材で構成されているベンチ機を使用しました。
| テストベンチ機の構成 | |
| CPU | Intel Core i9 7980XE 18コア36スレッド （レビュー） |
| CPUクーラー | Cryorig A40 V2 240サイズ簡易水冷CPUクーラー （レビュー） |
| マザーボード |
ASRock X299E-ITX/AC （レビュー） |
| メインメモリ | Kingston HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16 2セット SODIMM DDR4 8GB*4＝32GB |
| ビデオカード | MSI GeForce GT 1030 2GH LP OC ファンレス （レビュー） EVGA GTX 1080 Ti SC2 iCX （レビュー） |
| システムストレージ |
Samsung 850 PRO 256GB （レビュー） |
| OS | Windows10 Home 64bit |
| 電源ユニット | Corsair HX1200i （レビュー） |
実際にメモリのオーバークロックを行う前にメモリのOCについても紹介しておきます。
今回はASRock Z270 SuperCarrierの設定項目に合わせて紹介しますが、マザーボードメーカーによってレイアウトこそ多少異なるものの、メモリOC設定の方法については基本は共通なのでここの説明を一通り読めば予備知識としては十分だと思います。プラットフォーム別でも、18年最新のIntel第8世代CoffeeLake-S CPUに対応するIntel 300シリーズマザーボードであればほぼ全ての機種で似たような設定が可能です。またIntel Skylake-X＆X299マザーボード環境、AMD Ryzen＆AM4マザーボード環境、AMD Ryzen Threadripper＆X399マザーボード環境でもメモリOCの手順はほぼ同じです。
まず大前提としてオーバークロックはメーカー保証外の行為であり製品の破損やデータの消失もすべて自己責任となります。オーバークロック検証時は最小構成（CPU、マザーボード、メモリ、システムストレージ、グラフィックボード）以外は基本的にすべて外し、可能ならOC検証用のシステムストレージを用意するなど細心の注意を払ってください。最近のPCパーツは常識的な範囲内であればOCしても壊れることは滅多にないはずですが、データの破損は依然としてよくあることなので大切なデータは予め隔離するかバックアップをとってください。
CPUやGPUのオーバークロックと違ってメモリには負荷テストで落ちる（BSODやフリーズ）わけでもないのに、長期的に見てランダムにソフトウェアでエラーが発生するなどといったケースもあり、実用を兼ねるOCとしては比較的難易度が高いです。
最低限の安定性検証は必要なのでメモリOC時のストレステストについて、管理人は経験的にHCI memtestで200％カバーを確認後、動画のエンコードテストを30～60分で安定動作と判断しています。記事内で行ったメモリOCについては特に記載がなければ上記の検証クリアで安定動作としています。
また18年に入ってから新たにリリースされた「Ram Test（レビュー）」という海外のメモリ安定性検証ソフトが軽量かつ使いやすく、1000円程の有料ソフトですがおすすめです。
その他にも負荷テストにはPrime95やOCCTなどかなり重いストレステストを使うユーザーも多いようですが、CPUにしろメモリにしろ専用負荷ソフトを使ってOCの安定性検証をしていても落ちるときは落ちるので、ある程度のところで見切りをつけて、日頃のバックアップを心掛け、落ちた時は設定を緩めるか電圧を盛るほうが手っ取り早いというのが管理人の持論です。
メモリOCに伴うBSODやフリーズ以外の細かいトラブルについては次の記事でまとめたりコメント欄を情報交換に開放しているので活用してください。
・DDR4メモリのオーバークロックで発症した不具合と解決策について
CPUの倍率変更OCと違って、メモリOCの設定段階では正常にPOSTできずBIOSにすらたどり着けないケースもあり、そういった場合はCMOSクリア（BIOS設定の初期化）が必要になる場合があります。CMOSクリアの方法はオンボードやリアI/Oに実装されたスイッチを使用したり、オンボードジャンパーピンを使用したりとマザーボードによって方法が異なります。メモリOCを実践する前に予めCMOSクリアの方法をチェックしておいてください。
前置きはこのあたりにして、メモリのオーバークロックに関するBIOSの設定について、Core i7 7700KなどKabyLake-S CPUに対応するZ270チップセット搭載マザーボードのASRock Z270 SuperCarrierを例に詳しく紹介していきます。
メモリの性能は簡単に言うと『動作クロックが高く』『タイミングが小さい』ほど性能が高くなります。
そのためメモリOCを手動で行う手順を簡単にすると、「１．電圧を上げて動作可能なクロックを探し」、「２．そのクロックにおいて正常に動作する最小のタイミングを探る」という2つの手順を繰り返すことになります。最初のメモリタイミング設定については「16-18-18-36」とか「18-18-18-38」とか「20-20-20-40」とか、何でもいいのでてきとうに決め打ちするか、マザーボードの自動設定にお任せしてしまいます。動いたらラッキーでタイミングを小さく刻み、動かなかったらタイミングを緩めてまたチャレンジする、という具合で特定のメモリ周波数についてチェックしていきます。
メモリのOCでは、G.SkillやCorsairなどからOCプロファイルを収録した選別済みOCメモリという便利なものが販売されています。XMPなどOCプロファイルによるOC対応がうたわれているOCメモリでは、上の手順によるメモリのオーバークロック、つまりOC耐性の選別をメモリメーカー側がすでに行って、その個体(メモリモジュール)について動作確認をしています。IntelプラットフォームではこういったOCプロファイルのことを「インテル エクストリーム・メモリー・プロファイル（XMP）」と呼んでいます。XMPはIntelが策定したものなので、厳密にいうとAMD環境には非対応ですが、XMPプロファイルに収録されたメモリ周波数とタイミングの設定値からAMD環境に合わせたメモリOCプロファイルを自動生成する機能として、「ASUS D.O.C.P」や「MSI A-XMP」などが各社マザーボードのBIOS上に機能として用意されており、XMPがほぼデファクトスタンダード的扱いになっているので、OCプロファイルによるメモリOCを”XMPでOCする”とまとめて表現してしまう場合もあります。
ともあれOCプロファイルによるメモリOCではメーカーが動作確認を行ったメモリモジュールでOCプロファイルを適用するだけなので、メーカーが確認済みもしくは類似の環境（主にQVLに記載のあるマザーボード）が用意できれば簡単にメモリをオーバークロックができます。
以上を念頭にBIOS(UEFI)メニューから行う具体的なメモリOCのBIOS設定を見ていきます。なおOC設定を詰めていく時はWindowsとBIOSを頻繁に行き来することになるので、BIOS(UEFI)への再起動ショートカットを作っておくと非常に便利です。BIOS(UEFI)への再起動ショートカットの作り方も別の記事で紹介しています。
ASRock Z270 SuperCarrierでは「OCツール - DRAM設定」の設定ページ内にある「設定の読み込み」で「自動（カスタム設定）」と「XMP」の2種類からメモリの動作クロックとタイミングを設定できます。
「XMP」は上で紹介したように各メモリメーカーが一定環境で動作確認を行ったメモリのオーバークロックプロファイルがメモリに収録されており、その値が適用されて自動的にメモリ周波数とメモリタイミングがOCされます。XMPを使用しない場合は、「DRAM Frequency（メモリ周波数）」の項目とAutoにすると、DDR4メモリごとにSPDプロファイルに設定された2133MHz～2666MHzの動作周波数とタイミングによる定格動作となります。ASRock Z270 SuperCarrierなどASRock製のマザーボードでは「自動」モードが事実上のカスタム設定モードになっており、「DRAM Frequency（メモリ周波数）」でプルダウンメニューから動作周波数を選択できます。
XMP対応OCメモリの仕様値ではメモリ周波数に加えて「16-18-18-36」のようなメモリタイミングについての表記に見え覚えのある読者も多いと思います。このワンセットになった数字はファーストタイミングもしくはプライマリタイミングとも呼ばれ、Intel/AMD環境毎やマザーボードベンダー毎に表記がやや異なるものの、前から順に「CAS Latency (tCL」)」、「RAS to CAS (tRCD)」、「RAS Precharge (tRP)」、「RAS Active Time (tRAS)」となっています。ユーザーが各自でメモリタイミングを手動設定する場合は上の4つに加えて「Reflash Cycle Time (ｔRFC)」と「Command Rate：1 or 2」の計6つについて設定し、残りはマザーボードの自動設定にお任せしてしまうのが、比較的簡単でおすすめな設定方法です。
メモリのタイミングには他にも多くの項目がありますが、基本的には上の6つを適切に設定すればOKです。XMPの場合は自動的に動作確認済みのタイミングが適用されますし、マニュアル設定の場合でも設定値Auto（自動）であればマザーボード側がメモリ周波数に合わせて適当に設定を行ってくれます。
最初に書いたようにタイミングは小さい方が性能が高くなります。ただタイミングの設定は少し難しいのでXMPかAuto設定にお任せしてしまうのが手っ取り早くておすすめです。
なおメモリクロックもCPUコアクロック同様にBCLK（ベースクロック、FSBなどとも）に対する倍率なので、BCLKを変更することでBCLK：100MHz時の4133MHz上限から、例えばBCLK：120MHzにすると上限5000MHzに引き上げられます。ただしBCLKを使ったOCはかなり難易度が高いので基本的に100MHz固定が推奨です。
DDR4メモリでメモリ周波数をOCする場合2133MHz～2933MHzあたりまでであれば、DRAM電圧は定格の1.200Vで問題なく動作することが多いですが、メモリ周波数3000MHz以上を狙う場合はDRAM電圧を1.350V以上まで昇圧する必要があります。マザーボードによってはメモリ周波数に応じて自動で設定してくれるものもありますが、手動設定のほうが確実なので予め設定しておくのがおすすめです。
なおDRAM電圧を盛ると当然発熱は大きくなりますが、1.350～1.380V程度であればCPUソケット周辺に直接風の当たらない簡易水冷環境であってもOCメモリに設置されたヒートシンクによるパッシブ冷却で基本的に問題ありません。メモリ周波数4000MHz以上になると1.400V以上が要求され、OC自体も難しくなり発熱も大きくなってくるので、IntelプラットフォームのCoffeeLake-S(Z370)、KabyLake-S（Z270）、Skylake-X（X299）の環境では3200～3600MHz、AMDプラットフォームのRyzen（X470/X370）やRyzen Threadripper（X399）の環境では2933～3200MHzを狙うのが難易度的には比較的簡単なのでおすすめです。
説明の順番が前後してしまいましたが、初めてメモリのOCをする場合は、メモリ周波数やタイミングを変更する前に、HWinfoなどのモニタリングソフトを使用してBIOSで指定した電圧設定が正常に反映されているか確認しておくとメモリOCに失敗した時に原因切り分けに役立ちます。
Intel CPUのKabyLake-S(Core i7 7700Kなど)やBroadwell-E（Core i7 6950Xなど）でDDR4メモリの動作クロックを3000MHz以上にOCする場合はDRAM電圧だけでなく「電圧設定」の項目内にある「VCCSA」も適度に盛ってやるとメモリOCの動作が安定します。またAMD Ryzen CPU環境の場合は「SOC電圧」を昇圧します。
設定の目安としてはIntel環境の「VCCSA」なら1.200～1.250V程度、AMD環境の「SOC電圧」なら1.100～1.200V程度を狙うといいようです。一部のマザーボードではメモリ周波数で高い数値を選んだ時やXMP適用時にこれらの電圧を自動的に昇圧してくれるものもありますが、メモリのOCを行うときはメモリ電圧同様に手動で設定しておくのがおすすめです。
また一部のマザーボードではメモリOCに伴いPCI-E拡張デバイスの検出不可やUSB機器同士の干渉といった不具合が生じる場合があります。グラフィックボードを検出できないと画面が暗転したまま表示できなくなるので非常に困ります。この不具合が発生した場合、CoffeeLake-SやSkylake-XなどIntel環境では「VCCIO」や「PCH Core Voltage」（マザーボードメーカーごとに表記が若干異なる）を1.150～1.200V程度に盛ると安定します。
検証機材のASRock Z270 SuperCarrierでもメモリ周波数を3000MHz以上にOCすると、PCI拡張デバイスの認識に不具合が発生しましたが、「VCCIO」を適当に盛ってやることでメモリをOCしても正常に動作しました。
HyperX Impact DDR4 SODIMMのオーバークロック
「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」をSkylake-X＆X299マザーボードの検証機材にセットアップして早速動作検証を行っていきます。「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」にはMicron E-Dieが採用されていました。
「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」を2セット使用して、クアッドチャンネル4枚組構成でASRock X299E-ITX/ACに設置して起動してみたところ、BIOSから特に設定を行わずともXMPプロファイルが自動でロードされて、メモリ周波数3200MHzで起動しました。
Core i9 7980XE＆ASRock X299E-ITX/AC環境でXMPプロファイルによるOCでも問題なく起動できたので、メモリ周波数3200MHz、メモリタイミング20-22-22-42-CR2でHCI Memtestを実行したところ安定動作を確認できました。
続いて「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」の手動OCを実践し、メモリ周波数はそのままで、メモリタイミングを20-20-20-40-CR2に詰めてみたのですが、手動OCについては安定性テストでエラーが出て正常動作を確認できませんでした。「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」を2セット使用した場合、XMPによるOC動作は問題ありませんが、メモリ電圧を1.35Vに昇圧しても、それ以上の伸びしろについて難しいようです。
「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」は通常のDIMM OCメモリと異なりヒートシンクなしでメモリチップが剥き出しの状態ですが、XMP3200MHzにOCした状態でMemtest終盤の温度を確認してみたところメモリチップの温度は65度前後に達しました。そこそこ高い温度ですがMemtestで65度程度であれば実用上は問題なさそうです。
メモリ周波数を2400MHz～3200MHzで変更してメモリ周波数別で性能を比較してみました。
まずはAIDA64のメモリベンチマーク機能を使用して読込速度、書込速度、遅延など基本的なメモリ性能がメモリ周波数のOCによって向上しているかチェックしてみました。メモリ周波数を上げることで読込速度/書込速度が上がり、遅延時間も短くなっていることがわかります。
また18年最新のIntel第8世代NUC”Hades Canyon”上位モデル「NUC8i7HVK」において「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」の2枚組でメモリOCを実践してみました。
「NUC8i7HVK」でも「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」に収録されたXMPプロファイルによるメモリOCでメモリ周波数3200MHz＆メモリタイミング20-22-22-42-CR2で安定動作を確認できました。
HyperX Impact DDR4 SODIMMのレビューまとめ
最後にSODIMM DDR4 OCメモリ「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」を検証してみた結果のまとめを行います。簡単に箇条書きで以下、管理人のレビュー後の所感となります。良いところ
- Intel XMP 2.0によって3200MHz・20-22-22-42-CR2へ簡単にオーバークロックが可能
- XMP 3200MHzでもメモリ電圧は1.200Vで動作可能
- ASRock X299E-ITX/ACのクアッドチャンネル4枚組でXMPの安定動作を確認
- Intel NUC NUC8i7HVKでXMP OCの安定動作を確認
- 国内での入手性が若干悪い
- 手動OCでの伸びしろはあまりない
「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」のOC検証ではメーカーによる動作確認済みのXMPプロファイルによるメモリ周波数3200MHz・メモリタイミング20-22-22-42への1ステップお手軽OCでは、同メモリを2セット使用したクアッドチャンネル4枚組を「ASRock X299E-ITX/AC」に組み込んだ環境や、メモリOCに対応したIntel NUCの最新モデル「NUC8i7HVK」のいずれにおいても安定動作を確認できました。
手動OCによる伸びしろはありませんでしたが、製品スペックとして公表されているXMP3200MHzのOCは、動作確認から外れた4枚組運用においても安定動作が確認できており、ヒートシンクのない小型メモリだけに発熱を心配するユーザーもいるかもしれませんが、メモリ電圧1.200Vでメモリ周波数3200MHzが正常動作するので発熱も最小限です。
メモリOCに詳しくないユーザーでも簡単にメモリ周波数3200MHzにOCできるXMP3200MHzに対応したSODIMM DDR4メモリは希少なので、「ASRock X299E-ITX/AC」や「NUC8i7HVK」を使用してハイパフォーマンスなコンパクトPCを組もうと思っているユーザーに、「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」はおすすめのメモリキットです。
以上、「HyperX Impact DDR4 SODIMM HX432S20IB2K2/16」のレビューでした。
関連記事
・RX Vega M搭載NUC「NUC8i7HVK」をレビュー
（注：記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります）
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