Western DigitalからリリースされたNVMe M.2 SSD「WD Black NVMe SSD」の後継モデルで、Western Digital＆東芝連合製TLC型64層3D NANDメモリチップ「BiCS3」を採用する「WD Black 3D NVMe SSD」シリーズの国内発売が5月18日に決定。スポンサードリンク
Western DigitalからリリースされたNVMe M.2 SSD「WD Black NVMe SSD」の後継モデルで、Western Digital＆東芝連合製TLC型64層3D NANDメモリチップ「BiCS3」を採用するNVMe M.2 SSD「WD Black 3D NVMe SSD」シリーズの国内発売予定日が5月18日に決定しました。「WD Black 3D NVMe SSD」はSSD容量として250GB（型番：WDS250G2X0C）と500GB（型番：WDS500G2X0C）と1TB（型番：WDS100T2X0C）の3モデルがラインナップされています。
管理人も検証機材として1TBモデルを購入したのでレビュー記事を公開中です。
・「WD Black 3D NVMe SSD 1TB」をレビュー
「WD Black 3D NVMe SSD」シリーズはメモリチップにWestern Digital＆東芝連合製TLC型64層3D NANDメモリチップ「BiCS3」が採用された、NVMe（PCI-E3.0x4）接続の高速M.2 SSDです。
「WD Black 3D NVMe SSD」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出3400MB/s、シーケンシャル書込2800MB/s、ランダム（4KB, QD32, 8thread）読出500,000 IOPS、ランダム（4KB, QD32, 8thread）書込400,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
MTBFは175万時間、書込耐性は500GBが300TBW、1TBが600TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
「WD Black 3D NVMe SSD」の大きな特徴の1つとして、Western Digitalが独自開発した新型メモリコントローラー内にCPUとは別に「Data Path engines」が用意されていることが挙げられます。
「WD Black 3D NVMe SSD」は近年主流なTLC型SSDとなっておりTLC型の例にもれずNANDメモリの一部を高速なSLCキャッシュとして使用する高速化技術が採用されています。従来のTLC型SSDではこのSLCキャッシュが飽和した後の書き込みでもSLCキャッシュを必ず通す仕様があるためアクセス遅延が発生しました。
「WD Black 3D NVMe SSD」ではこの対策として、SLCキャッシュの飽和後にSLCキャッシュを介さずに直接NANDメモリに書き込みを行うバイパス経路「Data path」およびData path制御用コントローラー「Data Path engines」が用意されています。SLCキャッシュ超過後に「Data path」から直接TLC NAND領域に書き込みアクセスを行うことで、アクセス遅延の回避に加えて、CPUのクロックサイクルを消費しないため消費電力および発熱を大幅に引き下げを実現しています。
実際に「WD Black 3D NVMe SSD 1TB」の実機で管理人が検証してみたところ、3GB/s前後のシーケンシャル性能を発揮する18年最新のNVMe M.2 SSDの多くが連続した負荷に対してメモリコントローラー温度が90度から100度に達するのに対して、「WD Black 3D NVMe SSD 1TB」は70度後半に収まるという優秀な結果でした。
製品公式ページ：https://www.wdc.com/products/internal-ssd/wd-black-nvme-ssd.html
データシート：https://www.wdc.com/content/~/eng/spec_data_sheet/2879-810008.pdf
| WD Black 3D NVMe SSD スペック一覧 |
|||
| 容量 | 250GB （型番：WDS250G2X0C） |
500GB （型番：WDS500G2X0C） |
1TB （型番：WDS100T2X0C） |
| メモリー | SanDisk製 TLCタイプ64層3D NAND | ||
| 連続読出 | 3000MB/s | 3400MB/s | 3400MB/s |
| 連続書込 | 1600MB/s | 2500MB/s | 2800MB/s |
| 4Kランダム読出 | 220,000 IOPS | 410,000 IOPS | 500,000 IOPS |
| 4Kランダム書込 | 170,000 IOPS | 330,000 IOPS | 400,000 IOPS |
| 消費電力 | 70mW（アイドル） / 110mW（アクティブ） |
70mW（アイドル） / 110mW（アクティブ） |
100mW（アイドル） / 140mW（アクティブ） |
| 動作温度範囲 | 0°C～70°C | ||
| MTBF | 175万時間 | ||
| 耐久性評価 | 200TBW | 300TBW | 600TBW |
| 保証期間 | メーカー5年 | ||
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（注：記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります）
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