SamsungからTLCタイプSamsung製64層V-NANDのメモリチップとSamsung製メモリコントローラーSamsung MJXを採用する2.5インチSATA SSDの普及帯メインストリーム向けモデル「Samsung SSD 860 EVO」シリーズが2月2日発売
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SamsungからTLCタイプSamsung製64層V-NANDのメモリチップとSamsung製メモリコントローラーSamsung MJXを採用する2.5インチSATA SSDの普及帯メインストリーム向けモデル「Samsung SSD 860 EVO」シリーズが2月2日に発売となりました。2.5インチSATA SSD版「Samsung SSD 860 EVO」シリーズには250GB/500GB/1TB/2TB/4TBの5モデルがラインナップされています。
2.5インチSATA SSD版「Samsung SSD 860 EVO」シリーズはメモリチップにSamsung製64層V-NAND 3bit MLC(TLC)を採用、キャッシュメモリは512MBから4GBのLPDDR4を搭載、メモリコントローラーにはホストシステムとの通信を高速化したSamsung MJXを使用することで、シーケンシャル読出550MB/s、シーケンシャル書込520MB/s、4KQD1ランダム読出10,000 IOPS、4KQD1ランダム書込42,000 IOPS、4KQD32ランダム読出98,000 IOPS、4KQD32ランダム書込90,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「Samsung SSD 860 EVO」はSamsung製64層V-NAND 3bit MLC、一般に言うところのTLCタイプ64層3D NANDが採用されています。TLC NANDは上位モデル860 PROに採用されているMLC NANDに比べて書き込み性能で劣るため、TLC SSDでは一般に搭載するNANDフラッシュメモリーの一部をSLCキャッシュとして使用して書き込み性能を底上げする機能が採用されていますが、「Samsung SSD 860 EVO」ではこのキャッシュ機能を強化し、必要に応じてSLCの領域を増減する「Intelligent TurboWrite」機能が採用されています。
「Intelligent TurboWrite」においてはキャッシュとなる疑似SLC領域は標準で数GBの容量が確保されますが、それを上回る大容量の書き込みアクセスが発生した場合にモデルによって定められた容量を追加でバッファ領域として利用できます。「Samsung SSD 860 EVO」シリーズ各モデルのSLC領域、可変領域、書込速度は次のテーブルのようになっています。
MTBF(平均故障間隔)は150万時間、書込耐性は250GBが150TBW、500GBが300TBW、1TBが600TBW、2TBが1200TBW、4TBが2400TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
代理店公式ページ:https://www.itgm.co.jp/product/ssd860evo/
製品公式ページ:https://www.samsung.com/us/~/memory-storage/solid-state-drives/ssd-860-evo
データシート:
・「WD Blue 3D NAND SATA SSD 500GB」をレビュー
・SamsungのSATA SSDフラッグシップ「850 PRO SSD 256GB」をレビュー
・3D Xpoint型SSD「Intel Optane SSD 900P 480GB」をレビュー
(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)
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SamsungからTLCタイプSamsung製64層V-NANDのメモリチップとSamsung製メモリコントローラーSamsung MJXを採用する2.5インチSATA SSDの普及帯メインストリーム向けモデル「Samsung SSD 860 EVO」シリーズが2月2日に発売となりました。2.5インチSATA SSD版「Samsung SSD 860 EVO」シリーズには250GB/500GB/1TB/2TB/4TBの5モデルがラインナップされています。
2.5インチSATA SSD版「Samsung SSD 860 EVO」シリーズはメモリチップにSamsung製64層V-NAND 3bit MLC(TLC)を採用、キャッシュメモリは512MBから4GBのLPDDR4を搭載、メモリコントローラーにはホストシステムとの通信を高速化したSamsung MJXを使用することで、シーケンシャル読出550MB/s、シーケンシャル書込520MB/s、4KQD1ランダム読出10,000 IOPS、4KQD1ランダム書込42,000 IOPS、4KQD32ランダム読出98,000 IOPS、4KQD32ランダム書込90,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「Samsung SSD 860 EVO」はSamsung製64層V-NAND 3bit MLC、一般に言うところのTLCタイプ64層3D NANDが採用されています。TLC NANDは上位モデル860 PROに採用されているMLC NANDに比べて書き込み性能で劣るため、TLC SSDでは一般に搭載するNANDフラッシュメモリーの一部をSLCキャッシュとして使用して書き込み性能を底上げする機能が採用されていますが、「Samsung SSD 860 EVO」ではこのキャッシュ機能を強化し、必要に応じてSLCの領域を増減する「Intelligent TurboWrite」機能が採用されています。
「Intelligent TurboWrite」においてはキャッシュとなる疑似SLC領域は標準で数GBの容量が確保されますが、それを上回る大容量の書き込みアクセスが発生した場合にモデルによって定められた容量を追加でバッファ領域として利用できます。「Samsung SSD 860 EVO」シリーズ各モデルのSLC領域、可変領域、書込速度は次のテーブルのようになっています。
「Samsung SSD 860 EVO」シリーズ Intelligent TurboWrite の仕様 | ||||||
容量 | 250GB | 500GB | 1TB | 2TB | 4TB | |
キャッシュ サイズ |
標準 | 3GB | 4GB | 6GB | ||
可変領域 | 9GB | 18GB | 36GB | 72GB | ||
最大 | 12GB | 22GB | 42GB | 78GB | ||
連続書込 | キャッシュ内 | 520MB/s | ||||
キャッシュ外 | 300MB/s | 500MB/s | 520MB/s |
MTBF(平均故障間隔)は150万時間、書込耐性は250GBが150TBW、500GBが300TBW、1TBが600TBW、2TBが1200TBW、4TBが2400TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
代理店公式ページ:https://www.itgm.co.jp/product/ssd860evo/
製品公式ページ:https://www.samsung.com/us/~/memory-storage/solid-state-drives/ssd-860-evo
データシート:
Samsung SSD 860 EVO(2.5インチSATA) スペック一覧 |
|||||
容量 | 250GB MZ-76E250B/IT |
500GB MZ-76E500B/IT |
1TB MZ-76E1T0B/IT |
2TB MZ-76E2T0B/IT |
4TB MZ-76E4T0B/IT |
メモリー | Samsung製64層V-NAND 3bit MLC (TLC) |
||||
コントローラ | Samsung MJX | ||||
キャッシュ | 512MB LPDDR4 | 1GB LPDDR4 | 2GB LPDDR4 | 4GB LPDDR4 | |
連続読出 | 550MB/s | ||||
連続書込 | 520MB/s | ||||
4Kランダム読出 QD1 / QD32 |
10,000 IOPS / 98,000 IOPS | ||||
4Kランダム書込 QD1 / QD32 |
42,000 IOPS / 90,000 IOPS | ||||
動作温度範囲 | 0°C~70°C | ||||
MTBF | 150万時間 | ||||
耐久性評価 | 150TBW | 300TBW | 600TBW | 1200TBW | 2400TBW |
保証期間 | メーカー5年 |
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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)
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1万ちょっと切って買えたからまだ救いですが。
19.8万はまだまだお高いですが、64層で4TBきましたね。
あとキャッシュの強化でEVOでも十分速そうですね。