Samsung製MLC型64層3D NANDメモリチップとSamsung製メモリコントローラーSamsung Phoenix Controllerを採用するNVMe M.2 SSDのプロフェッショナル向けハイエンドモデル「Samsung SSD 970 PRO」シリーズが5月11日発売
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Samsung製MLC型64層3D NANDメモリチップとSamsung製メモリコントローラーSamsung Phoenix Controllerを採用するNVMe M.2 SSDのプロフェッショナル向けハイエンドモデル「Samsung SSD 970 PRO」シリーズが発表されました。512GBモデル(型番:MZ-V7P512BW)と1TBモデル(型番: MZ-V7P1T0BW)の2種がラインナップされています。
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「Samsung SSD 970 PRO」シリーズはメモリチップにSamsung製MLC型64層3D NAND、メモリコントローラーにSamsung Phoenix Controllerが採用された、NVMe(PCI-E3.0x4)接続の高速M.2 SSDです。
「Samsung SSD 970 PRO」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出3500MB/s、シーケンシャル書込2700MB/s、4KQD1ランダム読出15,000 IOPS、4KQD1ランダム書込55,000 IOPS、4KQD32ランダム読出500,000 IOPS、4KQD32ランダム書込500,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「Samsung SSD 970 PRO」シリーズのMTBFは150万時間、書込耐性は512GBが600TBW、1TBが1200TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
製品公式ページ:http://www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/ssd/consumer/970pro/
データシート:https://s3.ap-northeast-2.amazonaws.com/global.semi.static/Samsung_NVMe_SSD_970_PRO_Data_Sheet_Rev.1.0.pdf
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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)
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Samsung製MLC型64層3D NANDメモリチップとSamsung製メモリコントローラーSamsung Phoenix Controllerを採用するNVMe M.2 SSDのプロフェッショナル向けハイエンドモデル「Samsung SSD 970 PRO」シリーズが発表されました。512GBモデル(型番:MZ-V7P512BW)と1TBモデル(型番: MZ-V7P1T0BW)の2種がラインナップされています。
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「Samsung SSD 970 PRO」シリーズはメモリチップにSamsung製MLC型64層3D NAND、メモリコントローラーにSamsung Phoenix Controllerが採用された、NVMe(PCI-E3.0x4)接続の高速M.2 SSDです。
「Samsung SSD 970 PRO」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出3500MB/s、シーケンシャル書込2700MB/s、4KQD1ランダム読出15,000 IOPS、4KQD1ランダム書込55,000 IOPS、4KQD32ランダム読出500,000 IOPS、4KQD32ランダム書込500,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「Samsung SSD 970 PRO」シリーズのMTBFは150万時間、書込耐性は512GBが600TBW、1TBが1200TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
製品公式ページ:http://www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/ssd/consumer/970pro/
データシート:https://s3.ap-northeast-2.amazonaws.com/global.semi.static/Samsung_NVMe_SSD_970_PRO_Data_Sheet_Rev.1.0.pdf
Samsung SSD 970 PRO スペック一覧 |
||
容量 | 512GB (型番:MZ-V7P512BW) |
1TB (型番: MZ-V7P1T0BW) |
コントローラー |
Samsung Phoenix Controller | |
メモリー | Samsung製 2bit MLCタイプ64層V-NAND(3D NAND) | |
キャッシュ |
512MB LPDDR4 | 1GB LPDDR4 |
連続読出 | 3500MB/s | |
連続書込 | 2300MB/s | 2700MB/s |
4Kランダム読出 QD1T1 / QD32T4 |
15,000 IOPS / 370,000 IOPS |
15,000 IOPS / 500,000 IOPS |
4Kランダム書込 QD1T1 / QD32T4 |
55,000 IOPS / 500,000 IOPS |
|
消費電力 | 50mW(アイドル) 5.2W(平均) 8.5W(最大) |
50mW(アイドル) 5.7W(平均) 8.5W(最大) |
動作温度範囲 | 0°C~70°C | |
MTBF | 150万時間 | |
耐久性評価 | 600TBW | 1200TBW |
保証期間 | メーカー5年 |
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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)
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