Samsung SSD 970 EVOSamsung製TLC型64層3D NANDメモリチップとSamsung製メモリコントローラーSamsung Phoenix Controllerを採用するNVMe M.2 SSDのメインストリーム向けスタンダードモデル「Samsung SSD 970 EVO」シリーズが5月11日発売



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Samsung製TLC型64層3D NANDメモリチップとSamsung製メモリコントローラーSamsung Phoenix Controllerを採用するNVMe M.2 SSDのメインストリーム向けスタンダードモデル「Samsung SSD 970 EVO」シリーズが発表されました。250GB(型番:MZ-V7E250BW)、500GB(型番:MZ-V7E500BW)、1TB(型番:MZ-V7E1T0BW)と2TB(型番:MZ-V7E2T0BW)の4種がラインナップされています。




「Samsung SSD 970 EVO」シリーズはメモリチップにSamsung製V-NAND 3bit MLC(TLC型64層3D NAND)、メモリコントローラーにSamsung Phoenix Controllerが採用された、NVMe(PCI-E3.0x4)接続の高速M.2 SSDです。
「Samsung SSD 970 EVO」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出3500MB/s、シーケンシャル書込2500MB/s、4KQD1ランダム読出15,000 IOPS、4KQD1ランダム書込50,000 IOPS、4KQD32ランダム読出500,000 IOPS、4KQD32ランダム書込480,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。

「Samsung SSD 970 EVO」シリーズにはメモリチップとしてSamsung製64層V-NAND 3bit MLC、一般に言うところのTLCタイプ64層3D NANDが採用されています。TLC NANDは上位モデル970 PROに採用されているMLC NANDに比べて書き込み性能で劣るため、TLC SSDでは一般に搭載するNANDフラッシュメモリーの一部をSLCキャッシュとして使用して書き込み性能を底上げする機能が採用されていますが、「Samsung SSD 860 EVO」ではこのキャッシュ機能を強化し、必要に応じてSLCの領域を増減する「Intelligent TurboWrite」機能が採用されています。
Intelligent TurboWrite
「Intelligent TurboWrite」においてはキャッシュとなる疑似SLC領域は標準で数GBの容量が確保されますが、それを上回る大容量の書き込みアクセスが発生した場合にモデルによって定められた容量を追加でバッファ領域として利用できます。「Samsung SSD 970 EVO」シリーズ各モデルのSLC領域、可変領域、書込速度は次のテーブルのようになっています。
「Samsung SSD 970 EVO」シリーズ
Intelligent TurboWrite の仕様

容量 250GB 500GB 1TB 2TB
キャッシュ
サイズ
標準 4GB 6GB
可変領域 9GB 18GB 36GB 72GB
最大 13GB 22GB 42GB 78GB
連続書込 キャッシュ内 1500MB/s 2300MB/s 2500MB/s
キャッシュ外 300MB/s 600MB/s 1200MB/s 1250MB/s

「Samsung SSD 970 EVO」シリーズのMTBF(平均故障時間)は150万時間、書込耐性は250GBが150TBW、500GBが300TBW、1TBが600TBW、2TBが1200TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。


製品公式ページ:http://www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/ssd/consumer/970evo/
データシート:https://s3.ap-northeast-2.amazonaws.com/global.semi.static/Samsung_NVMe_SSD_970_EVO_Data_Sheet_Rev.1.0.pdf
Samsung SSD 970 EVO (2)
Samsung SSD 970 EVO (1)
Samsung SSD 970 EVO (3)


Samsung SSD 970 EVO スペック一覧
容量 250GB
(型番:MZ-V7E250BW)
500GB
(型番:MZ-V7E500BW)
1TB
(型番: MZ-V7E1T0BW)
2TB
(型番: MZ-V7E2T0BW)
コントローラー
Samsung Phoenix Controller
メモリー Samsung製V-NAND 3bit MLC (TLC型64層3D NAND)
キャッシュ
512MB LPDDR4 1GB  LPDDR4 2GB  LPDDR4
連続読出 3400MB/s 3500MB/s
連続書込 1500MB/s 2300MB/s 2500MB/s
4Kランダム読出
QD1T1 / QD32T4
15,000 IOPS /
200,000 IOPS
15,000 IOPS /
370,000 IOPS
15,000 IOPS /
500,000 IOPS
4Kランダム書込
QD1T1 / QD32T4
50,000 IOPS /
350,000 IOPS
50,000 IOPS /
450,000 IOPS
50,000 IOPS /
480,000 IOPS
消費電力 30mW(アイドル)
 5.4W(リード平均)
30mW(アイドル)
 5.7W(リード平均)
30mW(アイドル)
 6.0W(リード平均)
動作温度範囲 0°C~70°C
MTBF 150万時間
耐久性評価 150TBW 300TBW 600TBW 1200TBW
保証期間 メーカー5年




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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)



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