Samsung 860 SSD QVOSamsungから同社製QLCタイプ64層V-NANDをメモリチップに採用する2.5インチSATA SSD「Samsung SSD 860 QVO」シリーズが1月25日発売決定



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Samsungから同社製QLCタイプ64層V-NANDをメモリチップに採用する2.5インチSATA SSD「Samsung SSD 860 QVO」シリーズが1月25日より発売されます。「Samsung SSD 860 QVO」シリーズは1TB/2TB/4TBの3つの容量モデルがラインナップされています。





代理店公式ページ:https://www.itgm.co.jp/product/ssd-860-qvo-2-5-inch.php
製品公式ページ:https://www.samsung.com/semiconductor/~/jp/ssd/consumer/860qvo/
データシート:https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi.static/Samsung%20SSD%20860%20QVO%20Data%20Sheet_Rev1.pdf

MZ-76Q1T0BW_0

「Samsung SSD 860 QVO」シリーズではメモリチップにSamsung製4bit MLC 64層V-NAND(QLC型64層3D NAND)を採用、キャッシュメモリは1GBから4GBのLPDDR4を搭載、メモリコントローラーにはホストシステムとの通信を高速化したSamsung MJXを使用しています。
「Samsung SSD 860 QVO」シリーズの容量は1TB(型番:MZ-76Q1T0BW)、2TB(型番:MZ-76Q2T0BW)、4TB(型番:MZ-76Q4T0BW)の3モデルがラインナップされています。販売価格は容量順にそれぞれ、149.99ドル、299.99ドル、599.99ドルとなります。

「Samsung SSD 860 QVO」シリーズのアクセススピードは容量によって多少違いがありますが最大で、シーケンシャル読出550MB/s、シーケンシャル書込520MB/s、4KQD1ランダム読出7,500 IOPS、4KQD1ランダム書込42,000 IOPS、4KQD32ランダム読出97,000 IOPS、4KQD32ランダム書込89,000 IOPSのSATA規格としては理想的な高速アクセスを実現しています。

「Samsung SSD 860 QVO」シリーズのMTBF(平均故障間隔)は150万時間、書込耐性は1TBが360TBW、2TBが720TBW、4TBが1440TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は3年間です。

「Samsung SSD 860 QVO」はSamsung製64層V-NAND 4bit MLC、一般に言うところのQLCタイプ64層3D NANDが採用されています。現在主流なTLC NAND(同社製品では860 EVOなど)は同社上位モデル860 PROに採用されているMLC NANDに比べて書き込み性能で劣るため、一般的にTLC型SSDでは搭載するNANDフラッシュメモリーの一部をSLCキャッシュとして使用することにより書き込み性能を底上げする機能が採用されていますが、QLC型NANDを採用する「Samsung SSD 860 QVO」でも同様の機能が搭載されています。「Samsung SSD 860 EVO」ではこのSLCキャッシュ機能を強化し、必要に応じてSLCの領域を増減する「Intelligent TurboWrite」機能が採用されています。
Samsung SSD 860 QVO_Intelligent TurboWrite
「Intelligent TurboWrite」においてはキャッシュとなる疑似SLC領域は標準で数GBの容量が確保されますが、それを上回る大容量の書き込みアクセスが発生した場合にモデルによって定められた容量を追加でバッファ領域として利用できます。「Samsung SSD 860 QVO」シリーズ各モデルのSLC領域、可変領域、書込速度は次のテーブルのようになっています。
「Samsung SSD 860 QVO」シリーズ
Intelligent TurboWrite の仕様

容量 1TB
2TB 4TB
キャッシュ
サイズ
標準 6GB
可変領域 36GB 72GB
最大 42GB 78GB
連続書込 キャッシュ内 520MB/s
キャッシュ外 80MB/s 160MB/s


Samsung SSD 860 QVO スペック一覧
容量 1TB
MZ-76Q1T0BW
2TB
MZ-76Q2T0BW
4TB
MZ-76Q4T0BW
メモリー Samsung製 QLCタイプ 64層V-NAND
コントローラ Samsung MJX Controller
キャッシュ 1GB LPDDR4
2GB LPDDR4 4GB LPDDR4
連続読出 550MB/s
連続書込 520MB/s
4Kランダム読出
QD1 / QD32
7,500 IOPS /
96,000 IOPS
7,500 IOPS /
97,000 IOPS
4Kランダム書込
QD1 / QD32
42,000 IOPS / 89,000 IOPS
動作温度範囲 0°C~70°C
MTBF 150万時間
耐久性評価 360TBW 720TBW 1440TBW
保証期間 メーカー3年




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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)



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