Samsung製の90層以上で構築される第5世代V-NANDメモリチップを採用したNVMe M.2 SSDのメインストリーム向けスタンダードモデル「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズが2月1日発売決定
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Samsung製の90層以上で構築される第5世代V-NANDメモリチップを採用したNVMe M.2 SSDのメインストリーム向けスタンダードモデル「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズが2月1日より発売されます。
250GB(型番:MZ-V7S250B/IT)、500GB(型番:MZ-V7S1T0B/IT)、1TB(型番:MZ-V7S1T0B/IT)の3種がラインナップされています。
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズはメモリチップにSamsung製の第5世代V-NAND 3bit MLC(TLC型3D NAND)、メモリコントローラーにSamsung Phoenix Controllerが採用された、NVMe(PCI-E3.0x4)接続の高速M.2 SSDです。
ハードウェア構成における前世代の無印版970 EVOからの大きな変更点として、メモリチップが64層の第4世代V-NANDから、Samsungから90層以上(more than 90 layers)と公称されている第5世代V-NANDが採用されています。Samsungの第5世代V-NANDに関する公式プレスリリースによると、64層から90層以上へ150%の集積率を実現したことで、読み出し速度が40%以上、書き込み速度も30%以上向上しているとのこと。
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出3500MB/s、シーケンシャル書込3300MB/s、4KQD1ランダム読出19,000 IOPS、4KQD1ランダム書込60,000 IOPS、4KQD32ランダム読出550,000 IOPS、4KQD32ランダム書込600,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズにはメモリチップとしてSamsung製V-NAND 3bit MLC、一般に言うところのTLC型3D NANDが採用されています。TLC型NANDは上位モデル970 PROに採用されているMLC型NANDに比べて書き込み性能で劣るため、TLC型SSDでは一般に搭載するNANDフラッシュメモリーの一部をSLCキャッシュとして使用して書き込み性能を底上げする機能が採用されていますが、「Samsung SSD 970 EVO Plus」ではこのキャッシュ機能を強化し、必要に応じてSLCの領域を増減する「Intelligent TurboWrite」機能が採用されています。
「Intelligent TurboWrite」においてはキャッシュとなる疑似SLC領域は標準で数GBの容量が確保されますが、それを上回る大容量の書き込みアクセスが発生した場合にモデルによって定められた容量を追加でバッファ領域として利用できます。「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズ各モデルのSLC領域、可変領域、書込速度は次のテーブルのようになっています。
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズのMTBF(平均故障時間)は150万時間、書込耐性は250GBが150TBW、500GBが300TBW、1TBが600TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
代理店ページ:https://www.itgm.co.jp/product/ssd-970-evo-plus-m-2-nvme.php
製品公式ページ:https://www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/ssd/consumer/970evoplus/
データシート:https://s3.ap-northeast-2.amazonaws.com/global.semi.static/Samsung_NVMe_SSD_970_EVO_Data_Sheet_Rev.1.0.pdf
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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)
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Samsung製の90層以上で構築される第5世代V-NANDメモリチップを採用したNVMe M.2 SSDのメインストリーム向けスタンダードモデル「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズが2月1日より発売されます。
250GB(型番:MZ-V7S250B/IT)、500GB(型番:MZ-V7S1T0B/IT)、1TB(型番:MZ-V7S1T0B/IT)の3種がラインナップされています。
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズはメモリチップにSamsung製の第5世代V-NAND 3bit MLC(TLC型3D NAND)、メモリコントローラーにSamsung Phoenix Controllerが採用された、NVMe(PCI-E3.0x4)接続の高速M.2 SSDです。
ハードウェア構成における前世代の無印版970 EVOからの大きな変更点として、メモリチップが64層の第4世代V-NANDから、Samsungから90層以上(more than 90 layers)と公称されている第5世代V-NANDが採用されています。Samsungの第5世代V-NANDに関する公式プレスリリースによると、64層から90層以上へ150%の集積率を実現したことで、読み出し速度が40%以上、書き込み速度も30%以上向上しているとのこと。
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズのアクセススピードは容量によって若干異なりますが、最大でシーケンシャル読出3500MB/s、シーケンシャル書込3300MB/s、4KQD1ランダム読出19,000 IOPS、4KQD1ランダム書込60,000 IOPS、4KQD32ランダム読出550,000 IOPS、4KQD32ランダム書込600,000 IOPSの高速アクセスを実現しています。
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズにはメモリチップとしてSamsung製V-NAND 3bit MLC、一般に言うところのTLC型3D NANDが採用されています。TLC型NANDは上位モデル970 PROに採用されているMLC型NANDに比べて書き込み性能で劣るため、TLC型SSDでは一般に搭載するNANDフラッシュメモリーの一部をSLCキャッシュとして使用して書き込み性能を底上げする機能が採用されていますが、「Samsung SSD 970 EVO Plus」ではこのキャッシュ機能を強化し、必要に応じてSLCの領域を増減する「Intelligent TurboWrite」機能が採用されています。
「Intelligent TurboWrite」においてはキャッシュとなる疑似SLC領域は標準で数GBの容量が確保されますが、それを上回る大容量の書き込みアクセスが発生した場合にモデルによって定められた容量を追加でバッファ領域として利用できます。「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズ各モデルのSLC領域、可変領域、書込速度は次のテーブルのようになっています。
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズ Intelligent TurboWrite の仕様 | |||||
容量 | 250GB | 500GB | 1TB | 2TB | |
キャッシュ サイズ |
標準 | 4GB | 6GB | - | |
可変領域 | 9GB | 18GB | 36GB | ||
最大 | 13GB | 22GB | 43GB | ||
連続書込 | キャッシュ内 | 2300MB/s | 3200MB/s | 3300MB/s | |
キャッシュ外 | 400MB/s | 900MB/s | 1700MB/s |
「Samsung SSD 970 EVO Plus」シリーズのMTBF(平均故障時間)は150万時間、書込耐性は250GBが150TBW、500GBが300TBW、1TBが600TBWとなっており、メーカーによる製品保証期間は5年間です。
代理店ページ:https://www.itgm.co.jp/product/ssd-970-evo-plus-m-2-nvme.php
製品公式ページ:https://www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/ssd/consumer/970evoplus/
データシート:https://s3.ap-northeast-2.amazonaws.com/global.semi.static/Samsung_NVMe_SSD_970_EVO_Data_Sheet_Rev.1.0.pdf
Samsung SSD 970 EVO Plus スペック一覧 |
||||
容量 | 250GB (MZ-V7S250B/IT) |
500GB (MZ-V7S500B/IT) |
1TB (MZ-V7S1T0B/IT) |
2TB |
コントローラー |
Samsung Phoenix Controller | - | ||
メモリー | Samsung製 第5世代V-NAND 3bit MLC (TLC型90+層3D NAND) | |||
キャッシュ |
512MB LPDDR4 | 1GB LPDDR4 | ||
連続読出 | 3500MB/s | |||
連続書込 | 2300MB/s | 3200MB/s | 3300MB/s | |
4Kランダム読出 QD1T1 / QD32T4 |
17,000 IOPS / 250,000 IOPS |
19,000 IOPS / 480,000 IOPS |
19,000 IOPS / 600,000 IOPS |
|
4Kランダム書込 QD1T1 / QD32T4 |
60,000 IOPS / 550,000 IOPS |
|||
消費電力 | 30mW(アイドル) 4.2W(リード平均) |
30mW(アイドル) 5.8W(リード平均) |
30mW(アイドル) 6.0W(リード平均) |
|
動作温度範囲 | 0°C~70°C | |||
MTBF | 150万時間 | |||
耐久性評価 | 150TBW | 300TBW | 600TBW | |
保証期間 | メーカー5年 |
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(注:記事内で参考のため記載された商品価格は記事執筆当時のものとなり変動している場合があります)
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